什么是CMP設(shè)備？
??CMP設(shè)備是對(duì)硅片進(jìn)行拋光的設(shè)備。 CMP 代表化學(xué)機(jī)械拋光。半導(dǎo)體的制造規(guī)模非常小，因此需要均勻且高精度的拋光，并且它們由許多不同硬度的層組成，每層都需要使用適當(dāng)?shù)膲毫Α?/font>拋光劑
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CMP設(shè)備的應(yīng)用
CMP設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造工藝。它用于半導(dǎo)體工藝中，以平整因蝕刻、氧化膜生成、離子擴(kuò)散等引起的表面不平整。 CMP 提供非常精確的平坦化，并有利于在平坦化表面上進(jìn)一步分層。選擇CMP設(shè)備時(shí)，需要考慮平坦化的精度、所使用的化學(xué)品和化學(xué)品以及硅片的加工速度。
CMP設(shè)備原理
我們將解釋CMP設(shè)備的工作原理。 CMP設(shè)備通常一次高速加工許多硅片，因此通常是大型設(shè)備。其組成部分包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)、帶有用于涂抹化學(xué)品和化學(xué)藥品的噴嘴的拋光部分、以及帶有砂紙的拋光部分等。此外，還有用于傳送硅片的機(jī)器人、拋光后的清潔部分和檢測(cè)部分。等都包括在內(nèi)。
基本操作是從噴嘴將化學(xué)溶液或化學(xué)品噴射到硅片上，將砂紙等壓在硅片上，并通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)進(jìn)行拋光。化學(xué)拋光目標(biāo)包括氧化膜、鎢布線和銅布線。在氧化膜的情況下，將氧化膜溶解在堿性溶液中并用相同組成的氧化硅進(jìn)行拋光。對(duì)于鎢布線來(lái)說(shuō)，鎢表面經(jīng)過(guò)氧化，表面用氧化硅拋光。對(duì)于銅布線，將銅氧化后，制成復(fù)合體，并用氧化硅進(jìn)行拋光。